所谓SLC、MLC、TLC、QLC及PLC,指的是闪存的类型,它们每个cell单元分别存放1、2、3、4、5位电荷,所以容量越来越大,但是代价就是写入速度越来越低,P/E寿命越来越渣,QLC的P/E次数宣传上有1000次,实际大概是几百次,PLC时代弄不好要跌到100次内了。
从消费者角度来说,QLC闪存都很难接受,更别提再渣一等的PLC闪存,这寿命和速度看着不让人放心。
但是闪存厂商对PLC闪存的研究早就开始了,随着QLC闪存发展的第三、第四代,目前性能、容量、可靠性算是维持住底线了,研发中的PLC闪存进入市场只是迟早的事。
从Intel之前的表态来看,他们早就规划好PLC闪存了,好消息是其3D PLC闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构(Floating Gate),尽管当前3D闪存的主流结构是Charge Trap电荷捕获型,但Intel指出,浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。
三星、东芝、美光、SK海力士、西数等公司的PLC闪存也是箭在弦上,只是时间早晚的事。
PLC闪存一定会被推到市场上,但是最终能不能被接受还不好说,SINA存储网络协会董事会成员J Metz认为PLC闪存在技术上是不可避免的,但他对其市场前景表示怀疑,特别是TLC闪存等成本不断下降的情况下。
根据J Metz的看法,阻碍PLC闪存的倒不是PLC本身缺点,而是厂商如果能在TLC或者QLC闪存上就做到需要的大容量、成本等指标,那就没必要去推PLC闪存,毕竟后者在技术、可靠性等方面确实需要更多投入。