ASML推荐新一代高NA EUV光刻机芯片缩小1.7倍密度增加2.9倍

ASML推荐新一代高NA EUV光刻机芯片缩小1.7倍密度增加2.9倍

按照业内预判,2025年前后半导体在微缩层面将进入埃米尺度(,angstrom,1埃 = 0.1纳米),其中2025对应A14(14=1.4纳米)。 除了新晶体管结构、2D材料,还有很关键的一环就是High NA(高数值孔径)EUV光刻机。根据ASML(阿斯麦)透露的最新信息,第一台原

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