2021年7月20日，韩国知识产权局发布《半导体芯片制程技术专利趋势分析》报告，该报告从专利申请量、申请国别、专利申请人等角度对半导体芯片制程技术中的鳍式场效应晶体管技术（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）和全环栅晶体管技术（Gate all around