12月16日消息:IBM和三星电子推出了一种新的半导体设计采用垂直晶体管架构的垂直传输场效应晶体管(VTFET)。 两家公司于12月15日宣布，与缩放鳍式场效应晶体管(finFET)相比，新的半导体设计有可能将能源使用量减少85%。三星电子还公布了一项生产IBM5纳米芯片